放熱シート|多結晶ダイヤモンド|製品案内|洛陽誉芯ダイヤモンド有限公司

放熱シート

CVD（Chemical Vapor Deposition )工業合成ダイヤモンドは化学気相堆積法によって成膜される物である。ダイヤモンドの室温の熱伝導率は最高22W/(cm·K)に達し、銅の熱伝導率の5倍で、窒化アルミニウム熱伝導率の6倍で、ベリリア熱伝導率の7倍余であり、電子部品の熱を伝導することができる。だが、ダイヤモンドの電気抵抗率は10¹⁶Ωに達し、典型的な絶縁体である。そのため、ダイヤモンドは最も理想的な熱堆積材料である。
主に高パワーのダイオードの陳列、高パワーの発光ダイオード（LED）、無線周波パワーのトランジスタ、ハイパワー、高週波数電子（光電）部品、多チップモジュール大規模集積回路のフィン、半導体ラインパッケージなどに用いる。CVDダイヤモンドフィンでレーザー設備集積チップの冷却能力を30%～100%高める。

製品詳細パラメータ

性能パラメーター
ビッカース硬度	8000kg/mm2-1000kg/mm2
密度	3.52cm³
ヤング率	850GPa
熱伝導率	1200W/mk--2000W/mk
化学安定性	すべての酸とアルカリに溶ない
破壊強度	350Mpa
熱膨張係数	1.0+/-0.1ppm/K(300K) 4.4+/-0.1ppm/K(1000K)
ポアソン比	0.1
平行度	＜4＜µ/cm
厚さ公差	+/-50µm
成長面粗さ	＜100nm Ra
核成形面粗さ	＜30nm Ra
標準厚さ	300µm

提供可能のサイズ：
膜厚：0.3-1.5mm
仕上げ後厚さ：0.2-1.0mm
特殊サイズはお客様の要求により加工可能。

主要の放熱材料及び性能
材料	電気学性能	熱伝導率/【W/(m.K)】	熱膨張係数/(10-6K-1)	密度 /(g/cm3)
ダイヤモンド	絶縁体	2000	0.8-1.0	3.52
Al	導体	247	23	2.7
SiC/Al	導体	170-220	6.2-7.3	3.0
B/Al	導体	145	13-15	2.7
ダイヤモンド/Al	導体	375-670	5.07-12.5	<3.5
Cu	導体	398	17	8.9
Cu/Mo	導体	170-210	5.7-6.0	9.4-10.01
Cu/W	導体	150-205	6.5-8.3	15.7-17.6
グラシール/Cu	導体	400	2.8-3.5	5.3
ダイヤモンド/Cu	導体	400-600	6.0-6.5	5.0-5.5
Au	導体	315	14	19.32
Mo	導体	142	4.9	10.22
W	導体	155	4.5	19.3
BeO	絶縁体	260	6	3
AlN	絶縁体	320	4.5	3.3
SiC	絶縁体	270	3.7	3.3