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近日,被称为“***功率半导体”、使用金刚石的电力控制用半导体的开发取得进展。
日本佐贺大学教授嘉数教授与精密零部件制造商日本Orbray合作开发出了用金刚石制成的功率半导体,并以1平方厘米875兆瓦的电力运行。
在金刚石半导体中,输出功率值为全球***高,在所有半导体中也仅次于氮化镓产品的约2090兆瓦。与作为新一代功率半导体的碳化硅(SiC)产品和氮化镓(GaN)产品相比,金刚石半导体耐高电压等性能出色,电力损耗被认为可减少到硅制产品的五万分之一。金刚石功率半导体的耐热性和抗辐射性也很强,到2050年前后,有望成为人造卫星等的重要组成部分。
CVD法制备人造金刚石因其耐高压、大射频、低成本、耐高温等诸多优势,被普遍认为是制备下一代高功率、高频、高温及低功率损耗电子器件***优材料,根据原子排列方式不同又分为多晶金刚石及单晶金刚石。展望未来,CVD法人造金刚石可通过晶圆拼接方式制作大面积单晶晶圆,作为半导体芯片衬底可完全解决散热问题及利用金刚石的多项超级***的物理化学性能,制造***“***半导体”。
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文章来源:财联社等
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