金刚石的室温热导率***高可达22W/cm.K，是铜热导率的3-5倍，氮化铝热导率的6倍，氧化铍热导率的7倍多，可以传递电子器件产生的热量。金刚石具有高电阻率，是典型的绝缘体。因此，金刚石是***理想的热沉材料。

光通讯：大面积高热导CVD金刚石膜的出现使其在高功率激光二极管阵列(LDA)和其它微电子和光电子器件的热管理应用成为可能。金刚石***高热导率水平已经达到2200w/m.k。

芯片散热：金刚石热沉的另一更加诱人的应用前景是用于正在发展之中的多芯片组装技术，这一技术的目标是把许多超大规模集成电路芯片以三维的方式紧密排列结合成为超小型的超高性能器件，而这些芯片的散热则是该技术的关键，金刚石膜是解决这一技术难题***理想的材料。

新能源汽车：金刚石是碳化硅的直接竞争对手。与碳化硅的200°C（392°F）上限不同，金刚石可以在500°C以上工作。在军事航空应用中面临的许多类似挑战（如高温）也适用于汽车行业，在汽车行业，必须降低发动机的总体热损耗。

5G基站：目前一个5G室外基站单租户平均功耗在3.8KW左右，是4G基站的3倍以上，电费成本一项或许将透支运营商的所有利润。5G市场放量在即，金刚石作为5G基站热管理材料，通过充分发挥金刚石***的散热性能，将大大节约用电，真正实现绿色、环保、低碳。

军事航天：氮化镓GaN正在加速探索航天领域的应用，而氮化镓和金刚石结合，将实现性能上跨越式的大飞跃。

 大功率电子器件：金刚石热沉片可有效解决散热问题，并可在相同尺寸下提升功率器件的性能。金刚石热沉片的尺寸不再局限为单个器件或小型阵列，阵列尺寸可扩展至几厘米。被广泛应用于各种器件之中。当用于相控阵芯片时，可显著提高系统的可靠性并减小系统的尺寸和成本；用于固态功率放大器时，可显著减小器件的尺寸、成本和质量并提升效率；用于宽带通信时，可在减小芯片尺寸成本的同时提升可靠性等。

CVD多晶金刚石比单晶金刚石成本更低，同时具有高导热性和较低的表面粗糙度，方便引入半导体功率器件结构中，显著提升器件的散热能力，具有更加广阔的应用领域。 誉芯金刚石提供热导率 800~1800 W/m.k的CVD(化学气象沉积法)金刚石散热片。

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