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CVD(Chemical Vapor Deposition )金刚石膜是采用化学气象沉积法制造。金刚石的室温热导率***高可达22W/(cm.K),是铜热导率的5倍,氮化铝热导率的6倍,氧化铍热导率的7倍多,可以传递电子器件产生的热量。而金刚石的电阻率高达1016Ω,是典型的绝缘体。因此,金刚石是***理想的热沉材料。
主要用于高功率二极管陈列,高功率发光二极管(LED),射频功率晶体管,高功率、高频率电子(光电子)器件,多芯片模块大规模集成电路的散热片,半导体封装等。利用CVD金刚石散热片可使激光设备集成芯片的冷却能力提高30%~100%。
性能参数 | |
维氏硬度 | 8000kg/mm2-1000kg/mm2 |
密度 | 3.52cm³ |
扬式模量 | 850GPa |
热导率 | 1200W/mk--2000W/mk |
化学稳定性 | 不溶于所有的酸和碱 |
断裂强度 | 350Mpa |
热膨胀系数 | 1.0+/-0.1ppm/K(300K) 4.4+/-0.1ppm/K(1000K) |
泊松比 | 0.1 |
平行度 | <4<µ/cm |
厚度公差 | +/-50µm |
生长面粗糙度 | <100nm Ra |
形核面粗糙度 | <30nm Ra |
标准厚度 | 300µm |
可提供尺寸:
厚膜厚度:0.3-1.5mm
抛光后***度:0.2-1.0mm
特殊尺寸可根据客户要求生产。
主要散热材料及性能 | ||||
材料 | 电学性能 | 热导率/【W/(m.K)】 | 热膨胀系数/(10-6K-1) | 密度 /(g/cm3) |
金刚石 | 绝缘体 | 2000 | 0.8~1.0 | 3.52 |
AI | 导体 | 247 | 23 | 2.7 |
SiC/AI | 导体 | 170~220 | 6.2~7.3 | 3.0 |
B/AI | 导体 | 145 | 13~15 | 2.7 |
金刚石/AI | 导体 | 375~670 | 5.07~12.5 | <3.5 |
Cu | 导体 | 398 | 17 | 8.9 |
Cu/Mo | 导体 | 170~210 | 5.7~6.0 | 9.4~10.01 |
Cu/W | 导体 | 150~205 | 6.5~8.3 | 15.7~17.6 |
石墨/Cu | 导体 | 400 | 2.8~3.5 | 5.3 |
金刚石/Cu | 导体 | 400~600 | 6.0~6.5 | 5.0~5.5 |
Au | 导体 | 315 | 14 | 19.32 |
Mo | 导体 | 142 | 4.9 | 10.22 |
W | 导体 | 155 | 4.5 | 19.3 |
BeO | 绝缘体 | 260 | 6 | 3 |
AlN | 绝缘体 | 320 | 4.5 | 3.3 |
SiC | 绝缘体 | 270 | 3.7 | 3.3 |