Алмазная CVD-пленка выращена методом химического осаждения из парового фазы (Chemical Vapor Deposition). Максимальная теплопроводность алмаза при комнатной температуре достигает 22W/(cm·K), в 5 раз выше, чем теплопроводность меди, в 6 раз выше, чем теплопроводность нитрида алюминия, в 7 раз выше, чем теплопроводность оксида бериллия, может передавать тепло, вырабатываемое электронными приборами. Алмаз является типичным изолятором, удельное сопротивление которого составляет 10¹⁶Ω. Таким образом, алмаз является самым идеальным теплопоглощающим материалом.
В основном используется для мощного диода, мощного светодиода (LED), радиочастотного транзистора, мощного и высокочастотного электронного (оптоэлектронного) прибора, теплоотвода большой интегральной схемы мультичипного модуля, герметизации полупроводника и т.д.. С помощью теплоотвода из CVD-алмаза способность охлаждения интегрального чипа лазерного оборудования может увеличиваться на 30%-100%.