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CVD (Chemical Vapor Deposition) industriell hergestelltesynthetische Diamanten werden durch chemische Dampfsedimentation hergestellt. IhreWärmeleitfähigkeit bei Raumtemperatur beträgt bis zu 22W/(cm·K), also fünf mal mehr als die thermische Leitfähigkeit des Kupfers, sechs mal die von Aluminiumnitrit und siebenmalals die von Berylliumoxid.Dazu kommt, daßdurch sie auch die Wärme von Elektronen geleitet werden kann. Der Widerstand von Diamantenbeträgt bis zu 1016Ω, was sie zu einem typischen Isolator und idealen Wärmeabführmaterial macht.
Ihre Anwendung eignet sich vor allem in den Bereichen Hochleistungs-Diodendisplays, Hochleistungs-Leuchtdiode (LED), HF-Leistungstransistoren, (Opto-elektronische) Geräte mit Hochleistung und Hochfrequenz, Multi-Chip-Modul-Kühlkörper, Halbleiter-Verpackungen u.ä.. Die Verwendung von CVD-Diamant-Wärmesenkern kann die Kühlfähigkeit von integrierten Chips bei Lasergeräten auf 30%-100% erhöhen.
Leistung-Parameter | |
Vickers-Härte | 8000kg/mm2-1000kg/mm2 |
Dichte | 3.52cm³ |
Elastizitätsmodul | 850GPa |
Wärmeleitfähigkeit | 1200W/mk--2000W/mk |
Chemische Stabilität | unlöslich in allen Säuren und Basen |
Bruchfestigkeit | 350Mpa |
Wärmeausdehnungskoeffizient | 1.0+/-0.1ppm/K(300K) 4.4+/-0.1ppm/K(1000K) |
Poissonzahl | 0.1 |
Parallelismus | <4<µ/cm |
Dichtetoleranz | +/-50µm |
Rauheit von Wachstum- Oberflächen | <100nm Ra |
Rauheit von Nukleation Oberflächen | <30nm Ra |
Standarddichte | 300µm |
verfügbare Größen:
Dichte:0.3-1.5mm
Dichte nach dem Polieren:0.2-1.0mm
Sondergrößen nach Kundenwunsch
Kühlmaterialien und Leistung | ||||
Material | Elektrische Eigenschaften | Wärmeleitfähigkeit /【W/(m.K)】 | Wärmedehnkoeffizient /(10-6K-1) | Dichte /(g/cm3) |
Diamant | Isolator | 2000 | 0.8-1.0 | 3.52 |
Al | Leiter | 247 | 23 | 2.7 |
SiC/Al | Leiter | 170-220 | 6.2-7.3 | 3.0 |
B/Al | Leiter | 145 | 13-15 | 2.7 |
Diamant /Al | Leiter | 375-670 | 5.07-12.5 | <3.5 |
Cu | Leiter | 398 | 17 | 8.9 |
Cu/Mo | Leiter | 170-210 | 5.7-6.0 | 9.4-10.01 |
Cu/W | Leiter | 150-205 | 6.5-8.3 | 15.7-17.6 |
Graphit/Cu | Leiter | 400 | 2.8-3.5 | 5.3 |
Diamant/Cu | Leiter | 400-600 | 6.0-6.5 | 5.0-5.5 |
Au | Leiter | 315 | 14 | 19.32 |
Mo | Leiter | 142 | 4.9 | 10.22 |
W | Leiter | 155 | 4.5 | 19.3 |
BeO | Isolator | 260 | 6 | 3 |
AlN | Isolator | 320 | 4.5 | 3.3 |
SiC | Isolator | 270 | 3.7 | 3.3 |