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热沉片

　　CVD（Chemical Vapor Deposition )金刚石膜是采用化学气象沉积法制造。金刚石的室温热导率***高可达22W/(cm.K),是铜热导率的5倍，氮化铝热导率的6倍，氧化铍热导率的7倍多，可以传递电子器件产生的热量。而金刚石的电阻率高达1016Ω，是典型的绝缘体。因此，金刚石是***理想的热沉材料。
　　主要用于高功率二极管陈列，高功率发光二极管（LED)，射频功率晶体管，高功率、高频率电子（光电子）器件，多芯片模块大规模集成电路的散热片，半导体封装等。利用CVD金刚石散热片可使激光设备集成芯片的冷却能力提高30%~100%。

产品详情参数

性能参数
维氏硬度	8000kg/mm2-1000kg/mm2
密度	3.52cm³
扬式模量	850GPa
热导率	1200W/mk--2000W/mk
化学稳定性	不溶于所有的酸和碱
断裂强度	350Mpa
热膨胀系数	1.0+/-0.1ppm/K(300K) 4.4+/-0.1ppm/K(1000K)
泊松比	0.1
平行度	＜4＜µ/cm
厚度公差	+/-50µm
生长面粗糙度	＜100nm Ra
形核面粗糙度	＜30nm Ra
标准厚度	300µm

可提供尺寸：

ü 厚膜厚度：0.3-1.5mm

ü 抛光后***度：0.2-1.0mm

ü 特殊尺寸可根据客户要求生产。

主要散热材料及性能
材料	电学性能	热导率/【W/(m.K)】	热膨胀系数/(10-6K-1)	密度 /(g/cm3)
金刚石	绝缘体	2000	0.8~1.0	3.52
AI	导体	247	23	2.7
SiC/AI	导体	170~220	6.2~7.3	3.0
B/AI	导体	145	13~15	2.7
金刚石/AI	导体	375~670	5.07~12.5	<3.5
Cu	导体	398	17	8.9
Cu/Mo	导体	170~210	5.7~6.0	9.4~10.01
Cu/W	导体	150~205	6.5~8.3	15.7~17.6
石墨/Cu	导体	400	2.8~3.5	5.3
金刚石/Cu	导体	400~600	6.0~6.5	5.0~5.5
Au	导体	315	14	19.32
Mo	导体	142	4.9	10.22
W	导体	155	4.5	19.3
BeO	绝缘体	260	6	3
AlN	绝缘体	320	4.5	3.3
SiC	绝缘体	270	3.7